High Conductance Ultra Fast Diode The 1N4150TR is a general-purpose silicon diode manufactured by PHI (Performance Handlers Inc.). Below are the factual specifications for the 1N4150TR:

- **Type**: Silicon Rectifier Diode
- **Package**: DO-35
- **Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage (VRRM)**: 50V
- **Maximum RMS Voltage (VRMS)**: 35V
- **Maximum DC Blocking Voltage (VDC)**: 50V
- **Average Rectified Forward Current (IO)**: 150mA
- **Peak Forward Surge Current (IFSM)**: 2A (non-repetitive)
- **Forward Voltage Drop (VF)**: 1V at 10mA
- **Reverse Current (IR)**: 5µA at 50V
- **Operating Temperature Range**: -65°C to +175°C
- **Storage Temperature Range**: -65°C to +175°C

These specifications are based on the manufacturer's datasheet and are subject to the operating conditions outlined in the documentation.