800 V, silicon rectifier diode The 1N4006 is a general-purpose silicon rectifier diode manufactured by ON Semiconductor. Here are the key specifications:

- **Maximum Average Forward Current (IF(AV))**: 1 A
- **Peak Forward Surge Current (IFSM)**: 30 A
- **Maximum Reverse Voltage (VR)**: 800 V
- **Forward Voltage Drop (VF)**: 1.1 V (typical at 1 A)
- **Reverse Current (IR)**: 5 µA (maximum at 800 V)
- **Operating Junction Temperature (TJ)**: -65°C to +175°C
- **Storage Temperature Range (TSTG)**: -65°C to +175°C
- **Package**: DO-41

These specifications are typical for the 1N4006 diode and are subject to the operating conditions and environment.

800 V, silicon rectifier diode The 1N4006 is a general-purpose rectifier diode manufactured by Toshiba. Below are the key specifications:

- **Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage (VRRM):** 800V
- **Maximum RMS Voltage (VRMS):** 560V
- **Maximum DC Blocking Voltage (VDC):** 800V
- **Average Rectified Forward Current (IO):** 1.0A
- **Non-Repetitive Peak Forward Surge Current (IFSM):** 30A (8.3ms single half-sine-wave)
- **Forward Voltage Drop (VF):** 1.1V (typical at 1.0A)
- **Reverse Leakage Current (IR):** 5µA (typical at 800V)
- **Operating Junction Temperature (TJ):** -65°C to +150°C
- **Storage Temperature Range (TSTG):** -65°C to +150°C
- **Package:** DO-41 (Axial Lead)

These specifications are based on Toshiba's datasheet for the 1N4006 diode.