600 V, silicon rectifier diode The 1N4005 is a general-purpose rectifier diode manufactured by Vishay. Here are the key specifications:

- **Manufacturer**: Vishay
- **Part Number**: 1N4005
- **Type**: General-Purpose Rectifier Diode
- **Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage (VRRM)**: 600 V
- **Maximum RMS Voltage (VRMS)**: 420 V
- **Maximum DC Blocking Voltage (VDC)**: 600 V
- **Average Forward Current (IF(AV))**: 1.0 A
- **Peak Forward Surge Current (IFSM)**: 30 A (non-repetitive)
- **Forward Voltage Drop (VF)**: 1.1 V (typical at 1.0 A)
- **Reverse Leakage Current (IR)**: 5 µA (maximum at 600 V)
- **Operating Junction Temperature Range (TJ)**: -65°C to +175°C
- **Storage Temperature Range (TSTG)**: -65°C to +175°C
- **Package**: DO-41 (Axial Lead)
- **Mounting Type**: Through Hole
- **Weight**: 0.35 g (approx.)

These specifications are based on Vishay's datasheet for the 1N4005 diode.

600 V, silicon rectifier diode The 1N4005 is a general-purpose rectifier diode manufactured by ON Semiconductor. Here are the key specifications:

- **Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage (VRRM):** 600V
- **Maximum RMS Voltage (VRMS):** 420V
- **Maximum DC Blocking Voltage (VDC):** 600V
- **Average Rectified Forward Current (IO):** 1.0A
- **Non-Repetitive Peak Forward Surge Current (IFSM):** 30A
- **Forward Voltage Drop (VF):** 1.0V at 1.0A
- **Reverse Leakage Current (IR):** 5.0µA at 600V
- **Operating Junction Temperature Range (TJ):** -65°C to +175°C
- **Storage Temperature Range (TSTG):** -65°C to +175°C
- **Package:** DO-41

These specifications are based on the datasheet provided by ON Semiconductor for the 1N4005 diode.