200 V, silicon rectifier diode The 1N4003 is a general-purpose rectifier diode manufactured by ON Semiconductor. Here are the key specifications:

- **Maximum Average Forward Current (IF(AV))**: 1.0 A
- **Peak Forward Surge Current (IFSM)**: 30 A (non-repetitive)
- **Maximum Reverse Voltage (VR)**: 200 V
- **Forward Voltage Drop (VF)**: 1.1 V (typical at 1.0 A)
- **Reverse Current (IR)**: 5 µA (maximum at 200 V)
- **Operating Junction Temperature (TJ)**: -65°C to +175°C
- **Storage Temperature Range (TSTG)**: -65°C to +175°C
- **Package**: DO-41 (Axial Lead)

These specifications are based on the datasheet provided by ON Semiconductor for the 1N4003 diode.