50 V, silicon rectifier diode The 1N4001 is a general-purpose silicon rectifier diode. Here are the key specifications for the 1N4001 diode manufactured by PH (Philips):

- **Maximum Average Forward Current (IF(AV))**: 1 A
- **Peak Forward Surge Current (IFSM)**: 30 A (non-repetitive)
- **Maximum Reverse Voltage (VR)**: 50 V
- **Forward Voltage Drop (VF)**: 1.1 V (typical at 1 A)
- **Reverse Current (IR)**: 5 µA (maximum at 25°C)
- **Operating Junction Temperature (TJ)**: -65°C to +175°C
- **Storage Temperature Range (TSTG)**: -65°C to +175°C
- **Package**: DO-41 (axial leaded)

These specifications are based on the standard datasheet for the 1N4001 diode. Always refer to the specific manufacturer's datasheet for precise details.