GLASS PASSIVATED JUNCTION RECTIFIER The 1N3612GP is a silicon rectifier diode manufactured by Vishay. Here are the key specifications:

- **Type**: Silicon Rectifier Diode
- **Package**: DO-201AD
- **Maximum Average Forward Current (IF(AV))**: 3.0 A
- **Peak Forward Surge Current (IFSM)**: 150 A
- **Maximum Reverse Voltage (VR)**: 200 V
- **Forward Voltage Drop (VF)**: 1.1 V at 3.0 A
- **Reverse Current (IR)**: 5.0 µA at 200 V
- **Operating Junction Temperature (TJ)**: -65°C to +175°C
- **Storage Temperature Range (TSTG)**: -65°C to +175°C

These specifications are based on Vishay's datasheet for the 1N3612GP rectifier diode.