GLASS PASSIVATED JUNCTION RECTIFIER The 1N3611GP is a silicon rectifier diode manufactured by Vishay. Here are the key specifications:

- **Type**: Silicon Rectifier Diode
- **Package**: DO-41
- **Maximum Repetitive Reverse Voltage (V_RRM)**: 200 V
- **Maximum Average Forward Current (I_F(AV))**: 1 A
- **Peak Forward Surge Current (I_FSM)**: 30 A (non-repetitive)
- **Forward Voltage Drop (V_F)**: 1 V at 1 A
- **Reverse Recovery Time (t_rr)**: 4 µs (typical)
- **Operating Junction Temperature (T_J)**: -65°C to +175°C
- **Storage Temperature Range (T_stg)**: -65°C to +175°C

These specifications are based on Vishay's datasheet for the 1N3611GP diode.