SILICON 10 WATT ZENER DIODES The 1N3012B is a silicon power rectifier diode manufactured by TELEDYNE. Here are the key specifications:

- **Type**: Silicon Power Rectifier Diode
- **Maximum Average Forward Current (IF(AV))**: 6.0 A
- **Peak Forward Surge Current (IFSM)**: 150 A (non-repetitive)
- **Maximum Reverse Voltage (VR)**: 200 V
- **Maximum Forward Voltage Drop (VF)**: 1.1 V at 6.0 A
- **Maximum Reverse Current (IR)**: 5.0 µA at 200 V
- **Operating Junction Temperature (TJ)**: -65°C to +175°C
- **Storage Temperature Range (TSTG)**: -65°C to +175°C
- **Package**: DO-4 (stud mount)

These specifications are based on the information provided in Ic-phoenix technical data files for the 1N3012B diode manufactured by TELEDYNE.

SILICON 10 WATT ZENER DIODES The 1N3012B is a silicon rectifier diode manufactured by various companies, including Microsemi and Vishay. Here are the key specifications:

- **Type:** Silicon Rectifier Diode
- **Package:** DO-4 (Stud Mount)
- **Maximum Average Forward Current (IF(AV)):** 30 A
- **Peak Forward Surge Current (IFSM):** 400 A (non-repetitive)
- **Maximum Reverse Voltage (VR):** 200 V
- **Forward Voltage Drop (VF):** 0.95 V (typical at 30 A)
- **Reverse Recovery Time (trr):** 500 ns (typical)
- **Operating Junction Temperature (TJ):** -65°C to +175°C
- **Storage Temperature Range (TSTG):** -65°C to +175°C

These specifications are typical for the 1N3012B diode and may vary slightly depending on the manufacturer. Always refer to the specific datasheet for precise details.