N-CHANNEL 600V - 8-ohm - 1A DPAK/TO-92/IPAK/SOT-223 SuperMESH-TM MOSFET The 1HNK60R is a power semiconductor device manufactured by STMicroelectronics. It is part of the STPOWER series and is a high-voltage N-channel MOSFET. The key specifications for the 1HNK60R are as follows:

- **Drain-Source Voltage (V_DS)**: 600 V
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 2.5 A at 25°C
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 10 A
- **Power Dissipation (P_D)**: 45 W
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±30 V
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 2.5 Ω (typical) at V_GS = 10 V
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: 3 V (typical)
- **Input Capacitance (C_iss)**: 300 pF (typical)
- **Output Capacitance (C_oss)**: 50 pF (typical)
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss)**: 10 pF (typical)
- **Turn-On Delay Time (t_d(on))**: 10 ns (typical)
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off))**: 35 ns (typical)
- **Rise Time (t_r)**: 15 ns (typical)
- **Fall Time (t_f)**: 30 ns (typical)
- **Operating Junction Temperature (T_J)**: -55°C to 150°C
- **Package**: TO-220

These specifications are based on the datasheet provided by STMicroelectronics for the 1HNK60R MOSFET.