N-CHANNEL 600V - 8-ohm - 1A DPAK/TO-92/IPAK/SOT-223 SuperMESH-TM MOSFET The 1HNK60 is a high-voltage N-channel MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Here are the key specifications:

- **Drain-Source Voltage (V_DS)**: 600V
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 1.5A
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 6A
- **Power Dissipation (P_D)**: 25W
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 5.5Ω (typical) at V_GS = 10V
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: 3V (typical)
- **Input Capacitance (C_iss)**: 60pF (typical)
- **Output Capacitance (C_oss)**: 10pF (typical)
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss)**: 5pF (typical)
- **Operating Junction Temperature (T_J)**: -55°C to 150°C
- **Package**: TO-92

These specifications are based on the datasheet provided by STMicroelectronics.