RECTIFIER STACK (SINGLE PHASE BRIDGE RECTIFIER APPLICATIONS) The part number 1G4B42 is manufactured by TOSHIBA. It is a semiconductor device, specifically a power MOSFET. The key specifications for this part are as follows:

- **Type**: N-channel MOSFET
- **Voltage Rating (V_DSS)**: 600V
- **Current Rating (I_D)**: 4A
- **Power Dissipation (P_D)**: 50W
- **Package**: TO-220SIS
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 2.5Ω (typical)
- **Operating Temperature Range**: -55°C to 150°C

These specifications are based on the standard datasheet information provided by TOSHIBA for the 1G4B42 MOSFET.