FAST RECOVERY DIODE MODULE The part 1FI250B-060 is a power semiconductor module manufactured by FUJI Electric. It is a 600V, 250A IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) module. Key specifications include:

- Voltage Rating: 600V
- Current Rating: 250A
- Module Type: IGBT
- Configuration: Single IGBT with diode
- Package Type: Module
- Mounting Style: Screw
- Operating Temperature Range: Typically -40°C to 150°C
- Applications: Industrial inverters, motor drives, and other high-power switching applications

Please refer to the official datasheet or contact FUJI Electric for more detailed specifications and application guidelines.