Power Transistor Module The part 1DI30MA-050 is a power semiconductor module manufactured by FUJI Electric. It is designed for high-power applications and is part of the 1DI series. The module typically features a dual IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) configuration, which allows for efficient switching and control of high currents and voltages. 

Key specifications of the 1DI30MA-050 module include:
- **Voltage Rating (Vces):** 1200V
- **Current Rating (Ic):** 30A
- **Power Dissipation (Ptot):** Typically around 200W, depending on operating conditions
- **Module Configuration:** Dual IGBT with anti-parallel diode
- **Package Type:** Module type, often in a compact and robust housing suitable for industrial environments
- **Operating Temperature Range:** Typically from -40°C to 150°C, ensuring reliable performance under various conditions
- **Isolation Voltage:** High isolation voltage to ensure safety and reliability in high-voltage applications

These specifications make the 1DI30MA-050 suitable for use in various high-power applications such as motor drives, inverters, and power supplies.