RECTIFIER STACK (SINGLE PHASE BRIDGE RECTIFIER APPLICATIONS) The part number 1B4B42 is associated with Toshiba, and it is a semiconductor device. Specifically, it is a power MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor). The key specifications for this part are as follows:

- **Type**: N-channel MOSFET
- **Drain-Source Voltage (Vds)**: 60V
- **Continuous Drain Current (Id)**: 30A
- **Power Dissipation (Pd)**: 100W
- **Gate-Source Voltage (Vgs)**: ±20V
- **On-Resistance (Rds(on))**: 0.035Ω (typical)
- **Package**: TO-220AB

These specifications are typical for power MOSFETs used in various applications such as power supplies, motor control, and other high-current switching applications.