100V 180A Schottky Discrete Diode in a D-67 HALF-Pak package The part 183NQ100 is manufactured by International Rectifier (IR). It is a power MOSFET designed for high-efficiency DC-DC conversion applications. The key IR specifications for this part include:

- **Voltage Rating (VDS):** 100V
- **Current Rating (ID):** 183A
- **Power Dissipation (PD):** 600W
- **RDS(ON):** 1.6mΩ (typical) at VGS = 10V
- **Gate Charge (Qg):** 220nC (typical) at VDS = 50V
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C
- **Package:** TO-247

These specifications are based on the datasheet provided by International Rectifier for the 183NQ100 MOSFET.