30V 180A Schottky Discrete Diode in a D-67 HALF-Pak package The part 182NQ030 is manufactured by Infineon Technologies. It is an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) module designed for high-power applications. The IR (Infrared) specifications for this part are not explicitly detailed in the provided knowledge base. Typically, such specifications would include details on thermal resistance, junction temperature, and other thermal management parameters, but these specifics are not available in the provided information. For precise IR specifications, it is recommended to consult the official datasheet or contact Infineon Technologies directly.