FAST RECOVERY DIODES The part 15DF8 is manufactured by NIEC (New Japan Radio Co., Ltd.). It is a silicon NPN epitaxial planar transistor designed for high-frequency amplification and oscillation applications. Key specifications include:

- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 30V
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 40V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5V
- **Collector Current (IC):** 50mA
- **Total Power Dissipation (PT):** 300mW
- **Transition Frequency (fT):** 600MHz
- **Gain Bandwidth Product (GBW):** Not explicitly stated in the provided knowledge base
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C
- **Package Type:** TO-92

These specifications are typical for high-frequency transistors used in RF applications.