Pico-TR Series The part 12A01C is manufactured by SANYO. Specific specifications for this part are not provided in Ic-phoenix technical data files. For detailed information, it is recommended to refer to the official SANYO documentation or datasheets.

Pico-TR Series The part 12A01C is manufactured by SANYO. It is a semiconductor device, specifically a silicon NPN epitaxial planar type transistor. The key specifications include:

- Collector-Base Voltage (VCBO): 50V
- Collector-Emitter Voltage (VCEO): 50V
- Emitter-Base Voltage (VEBO): 5V
- Collector Current (IC): 0.1A
- Collector Dissipation (PC): 0.3W
- Junction Temperature (Tj): 125°C
- Storage Temperature (Tstg): -55°C to +150°C
- DC Current Gain (hFE): 120 to 560 at VCE=6V, IC=1mA
- Transition Frequency (fT): 200MHz

These specifications are typical for the 12A01C transistor and are used in various electronic applications requiring small-signal amplification.