15V 120A Schottky Discrete Diode in a D-67 HALF-Pak package The part 125NQ015 is a semiconductor device, specifically a MOSFET, manufactured by Vishay Siliconix. The manufacturer's specifications for this part include the following IR (Infrared) related details:

- **Package Type**: TO-220AB, which is a common through-hole package for power transistors.
- **Maximum Power Dissipation (Pd)**: 125W, indicating the maximum power the device can dissipate without exceeding its maximum junction temperature.
- **Maximum Junction Temperature (Tj)**: 150°C, which is the highest temperature the semiconductor material in the device can safely operate.
- **Thermal Resistance, Junction to Case (RθJC)**: 1.25°C/W, representing the thermal resistance between the semiconductor junction and the case of the device.
- **Thermal Resistance, Junction to Ambient (RθJA)**: 62.5°C/W, indicating the thermal resistance between the semiconductor junction and the ambient environment when mounted on a specified PCB.

These specifications are crucial for thermal management and ensuring the device operates within safe temperature limits, especially in applications involving significant power dissipation.