80V 120A Schottky Discrete Diode in a D-67 HALF-Pak package The **123NQ080** from **International Rectifier** is a high-performance **N-channel MOSFET** designed for efficient power management in a variety of applications. This component is part of the **HEXFET® Power MOSFET** series, known for its low on-resistance and high switching speeds, making it ideal for power conversion, motor control, and switching circuits.  

With a **voltage rating of 80V** and a **current handling capability of up to 123A**, the 123NQ080 provides robust performance in demanding environments. Its advanced silicon technology ensures minimal conduction losses, improving overall system efficiency. The device features a **low gate charge**, enabling faster switching and reduced power dissipation, which is critical in high-frequency applications.  

The **TO-247 package** offers excellent thermal performance, allowing for effective heat dissipation under high-load conditions. This makes the 123NQ080 suitable for industrial, automotive, and renewable energy systems where reliability and durability are essential.  

Engineers and designers will appreciate its **rugged design** and **high avalanche energy rating**, ensuring stable operation even in harsh conditions. Whether used in DC-DC converters, inverters, or power supplies, the 123NQ080 delivers consistent performance with minimal losses, making it a preferred choice for power electronics applications.