100V 1.1A Schottky Discrete Diode in a DO-204AL package The part 11DQ10 is manufactured by JAPAN. Specific specifications for this part are not provided in Ic-phoenix technical data files. For detailed information, it is recommended to consult the manufacturer's documentation or contact the manufacturer directly.

100V 1.1A Schottky Discrete Diode in a DO-204AL package The part 11DQ10 is a Schottky Rectifier manufactured by Vishay. Below are the key specifications:

- **Voltage - DC Reverse (Vr) (Max):** 100 V
- **Current - Average Rectified (Io):** 1 A
- **Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:** 0.55 V @ 1 A
- **Speed:** Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- **Current - Reverse Leakage @ Vr:** 50 µA @ 100 V
- **Operating Temperature:** -65°C to +125°C
- **Mounting Type:** Surface Mount
- **Package / Case:** SMA
- **Supplier Device Package:** SMA
- **Diode Type:** Schottky
- **Configuration:** Single

These specifications are based on the standard datasheet information provided by Vishay for the 11DQ10 Schottky Rectifier.

100V 1.1A Schottky Discrete Diode in a DO-204AL package The part 11DQ10 is manufactured by NIEC (New Japan Radio Co., Ltd.). It is a Schottky barrier diode with the following specifications:

- **Forward Voltage (VF):** Typically 0.55V at 1A
- **Reverse Voltage (VR):** 100V
- **Average Rectified Current (IO):** 1A
- **Peak Forward Surge Current (IFSM):** 30A
- **Operating Junction Temperature (TJ):** -55°C to +125°C
- **Storage Temperature Range (TSTG):** -55°C to +150°C

These specifications are based on standard operating conditions and may vary slightly depending on the specific application and environmental factors.