10 Amps, 600/650 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET The 10N60 is a power MOSFET manufactured by CMOSFET. It is an N-channel MOSFET with a voltage rating of 600V and a current rating of 10A. The device features a low on-resistance (Rds(on)) of typically 0.65 ohms, which helps in reducing conduction losses. It is designed for high-speed switching applications and is commonly used in power supplies, inverters, and motor control circuits. The 10N60 is housed in a TO-220 package, which provides good thermal performance and ease of mounting. The gate threshold voltage (Vgs(th)) is typically 4V, and the maximum gate-to-source voltage (Vgs) is ±30V. The device also has a low gate charge, which contributes to its efficient switching performance.

10 Amps, 600/650 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET The 10N60 is a power MOSFET manufactured by Alpha and Omega Semiconductor (AOS). Below are the key specifications for the 10N60:

- **Drain-Source Voltage (V_DS)**: 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 10A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 40A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 190W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.65Ω (typical)  
- **Gate Charge (Q_g)**: 30nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss)**: 1200pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss)**: 200pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss)**: 20pF (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J)**: -55°C to +150°C  
- **Package**: TO-220  

These specifications are based on the datasheet provided by AOS for the 10N60 MOSFET.

10 Amps, 600/650 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET The 10N60 is a power MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (FSC). It is designed for high-speed switching applications and is commonly used in power supplies, inverters, and motor control circuits. The key specifications for the 10N60 include:

- **Drain-Source Voltage (V_DS)**: 600V
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 10A
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 40A
- **Power Dissipation (P_D)**: 230W
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±30V
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.65Ω (typical) at V_GS = 10V
- **Gate Charge (Q_g)**: 45nC (typical)
- **Input Capacitance (C_iss)**: 1200pF (typical)
- **Output Capacitance (C_oss)**: 200pF (typical)
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss)**: 50pF (typical)
- **Operating Junction Temperature (T_J)**: -55°C to 150°C

These specifications are based on the datasheet provided by Fairchild Semiconductor for the 10N60 MOSFET.