Variable Capacitance Diode Useful for VCO/TCXO The part 1SV331 is a semiconductor device manufactured by TOSHIBA. It is a Silicon Epitaxial Planar Type PNP transistor, commonly used for high-speed switching applications. Key specifications include:

- **Collector-Base Voltage (VCBO):** -50V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** -50V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** -5V
- **Collector Current (IC):** -100mA
- **Total Power Dissipation (PT):** 150mW
- **Junction Temperature (Tj):** 125°C
- **Transition Frequency (fT):** 200MHz
- **DC Current Gain (hFE):** 120-560 (at VCE = -5V, IC = -2mA)
- **Package Type:** SOT-23

These specifications are typical for the 1SV331 transistor, designed for use in various electronic circuits requiring high-speed switching and amplification.