Diode Silicon Epitaxial Planar Type TCXO/VCO The part 1SV324 is a semiconductor device manufactured by TOSHIBA. It is a Silicon N-channel MOS FET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor). The key specifications of the 1SV324 include:

- **Type**: N-channel MOS FET
- **Package**: SOT-23F (Small Outline Transistor)
- **Drain-Source Voltage (VDS)**: 30V
- **Gate-Source Voltage (VGS)**: ±20V
- **Drain Current (ID)**: 1.5A
- **Power Dissipation (PD)**: 1W
- **On-Resistance (RDS(on))**: 0.15Ω (typical) at VGS = 10V, ID = 1.5A
- **Threshold Voltage (Vth)**: 1.0V to 2.5V
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C

These specifications are typical for the 1SV324 and are subject to variation based on operating conditions and manufacturing tolerances.