Diode Silicon Epitaxial Pin Type VHF~UHF Band RF Attenuator Applications The part 1SV312 is a diode manufactured by TOSHIBA. It is a silicon epitaxial planar type diode, specifically designed for high-speed switching applications. The key specifications include:

- **Type**: PIN Diode
- **Package**: SOD-323 (Small Outline Diode)
- **Reverse Voltage (VR)**: 30V
- **Forward Current (IF)**: 100mA
- **Forward Voltage (VF)**: 1V (typical) at 10mA
- **Reverse Recovery Time (trr)**: 4ns (typical)
- **Capacitance (Ct)**: 0.8pF (typical) at 0V, 1MHz
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +125°C

This diode is commonly used in high-frequency circuits, RF applications, and high-speed switching circuits due to its fast switching characteristics and low capacitance.