Variable Capacitance Diode CATV Tuning The part 1SV303 is a semiconductor device manufactured by TOSHIBA. It is a silicon epitaxial planar type P-channel MOS FET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor). The device is designed for high-speed switching applications and is commonly used in electronic circuits for amplification and switching purposes. Key specifications include a drain-source voltage (VDS) of -30V, a gate-source voltage (VGS) of ±20V, and a continuous drain current (ID) of -0.5A. It also features low on-resistance and high-speed switching capabilities. The device is typically housed in a small surface-mount package, such as the SOT-23, making it suitable for compact electronic designs.