Variable Capacitance Diode UHF SHF Tuning The part 1SV291 is a semiconductor device manufactured by TOSHIBA. It is a Silicon N-channel MOS FET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor). Key specifications include:

- **Drain-Source Voltage (V DSS)**: 60V
- **Gate-Source Voltage (V GSS)**: ±20V
- **Drain Current (I D)**: 1.5A
- **Total Power Dissipation (P D)**: 1W
- **Operating Junction Temperature (T J)**: -55 to +150°C
- **Storage Temperature (T stg)**: -55 to +150°C

This information is based on the available knowledge base for the 1SV291 part from TOSHIBA.