Variable Capacitance Diode CATV Tuning The part 1SV290 is a semiconductor device manufactured by Toshiba. It is a silicon epitaxial planar type transistor, specifically designed for high-frequency amplification. The key specifications of the 1SV290 include:

- **Type**: N-channel junction field-effect transistor (JFET)
- **Maximum Drain-Source Voltage (Vds)**: 30V
- **Maximum Gate-Source Voltage (Vgs)**: 30V
- **Maximum Drain Current (Id)**: 10mA
- **Maximum Power Dissipation (Pd)**: 150mW
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +125°C
- **Package**: TO-92

These specifications are typical for the 1SV290 transistor, which is commonly used in RF amplification and other high-frequency applications.