Variable Capacitance Diode VCO for V/UHF Band Radio The part 1SV284 is manufactured by TOSHIBA. It is a silicon epitaxial planar type transistor, specifically a PNP transistor. The key specifications include:

- **Collector-Base Voltage (VCBO):** -50V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** -50V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** -5V
- **Collector Current (IC):** -100mA
- **Total Power Dissipation (PT):** 150mW
- **Junction Temperature (Tj):** 125°C
- **Storage Temperature (Tstg):** -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE):** 120 to 560 (at VCE = -6V, IC = -2mA)
- **Transition Frequency (fT):** 200MHz (at VCE = -6V, IC = -2mA, f = 100MHz)

These specifications are typical for the 1SV284 transistor and are subject to standard manufacturing variations.