Variable Capacitance Diode CATV Tuning The part 1SV269 is a semiconductor device manufactured by TOSHIBA. It is a Silicon N-channel MOS FET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) designed for high-speed switching applications. Key specifications include:

- **Drain-Source Voltage (VDS):** 60V
- **Drain Current (ID):** 1.5A
- **Power Dissipation (PD):** 1W
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V
- **On-Resistance (RDS(on)):** 1.5Ω (max) at VGS = 10V, ID = 0.5A
- **Input Capacitance (Ciss):** 50pF (typ) at VDS = 25V, VGS = 0V, f = 1MHz
- **Output Capacitance (Coss):** 20pF (typ) at VDS = 25V, VGS = 0V, f = 1MHz
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 5pF (typ) at VDS = 25V, VGS = 0V, f = 1MHz
- **Turn-On Delay Time (td(on)):** 10ns (typ) at VDD = 30V, ID = 0.5A, VGS = 10V
- **Rise Time (tr):** 30ns (typ) at VDD = 30V, ID = 0.5A, VGS = 10V
- **Turn-Off Delay Time (td(off)):** 25ns (typ) at VDD = 30V, ID = 0.5A, VGS = 10V
- **Fall Time (tf):** 15ns (typ) at VDD = 30V, ID = 0.5A, VGS = 10V

The device is housed in a small surface-mount package (SOT-23) and is suitable for applications such as power management, load switching, and DC-DC converters.

Variable Capacitance Diode CATV Tuning The part 1SV269 is a diode manufactured by NEC. It is a silicon epitaxial planar type diode, specifically designed for high-speed switching applications. The key specifications include:

- **Forward Voltage (VF):** Typically 1V at a forward current of 10mA.
- **Reverse Voltage (VR):** 30V.
- **Reverse Current (IR):** Maximum of 0.1µA at the rated reverse voltage.
- **Junction Capacitance (Cj):** Typically 2pF at a reverse bias of 0V and a frequency of 1MHz.
- **Reverse Recovery Time (trr):** Typically 4ns.
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +125°C.

These specifications are based on standard test conditions and may vary slightly depending on the specific application and operating conditions.