Variable Capacitance Diode VCO for UHF Radio The part 1SV239 is a semiconductor device manufactured by TOSHIBA. It is a Silicon Epitaxial Planar Type PNP transistor, specifically designed for high-speed switching applications. Key specifications include:

- **Collector-Base Voltage (VCBO):** -50V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** -50V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** -5V
- **Collector Current (IC):** -100mA
- **Total Power Dissipation (PT):** 150mW
- **Junction Temperature (Tj):** 125°C
- **Storage Temperature (Tstg):** -55°C to +150°C
- **Transition Frequency (fT):** 200MHz (typical)
- **DC Current Gain (hFE):** 60 to 320 (at VCE = -6V, IC = -2mA)

The 1SV239 is commonly used in applications requiring high-speed switching, such as in RF amplifiers and oscillators. It is available in a small surface-mount package (SOT-323).