Silicon epitaxial planar type variable capacitance diode. The part 1SV147 is a semiconductor device manufactured by TOSHIBA-KEC. It is a Silicon N-channel MOS FET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor). The device is designed for high-speed switching applications and is commonly used in power management circuits. Key specifications include a drain-source voltage (Vds) of 30V, a continuous drain current (Id) of 3A, and a power dissipation (Pd) of 1W. The device features a low on-resistance (Rds(on)) and is available in a compact surface-mount package, typically a SOT-23 or similar form factor.