Silicon Epitaxial Planar Diode for High Voltage Switching The part 1SS82 is a diode manufactured by HITACHI. It is a high-speed switching diode with the following specifications:

- **Type**: Silicon Epitaxial Planar Diode
- **Maximum Reverse Voltage (VR)**: 80V
- **Maximum Forward Current (IF)**: 150mA
- **Forward Voltage (VF)**: 1V (typical) at 10mA
- **Reverse Recovery Time (trr)**: 4ns (typical)
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +125°C
- **Package**: SOD-323 (SC-76)

These specifications are typical for the 1SS82 diode, which is commonly used in high-speed switching applications.

Silicon Epitaxial Planar Diode for High Voltage Switching The part 1SS82 is a Schottky barrier diode manufactured by Hitachi (HIT). Key specifications include:

- **Forward Voltage (VF):** Typically 0.55V at 1A.
- **Reverse Voltage (VR):** 40V.
- **Forward Current (IF):** 1A.
- **Reverse Recovery Time (trr):** Extremely fast, typically in the range of nanoseconds.
- **Operating Temperature Range:** -65°C to +125°C.
- **Package:** SOD-323 (small surface-mount package).

These specifications make the 1SS82 suitable for high-speed switching applications, rectification, and protection circuits.