Silicon Epitaxial Planar Diode for High Voltage Switching The 1SS81 is a silicon epitaxial planar diode manufactured by Toshiba. It is designed for high-speed switching applications. Key specifications include:

- **Type**: Switching Diode
- **Material**: Silicon
- **Package**: SOD-323 (SC-76)
- **Maximum Reverse Voltage (V_R)**: 30 V
- **Maximum Forward Current (I_F)**: 100 mA
- **Forward Voltage (V_F)**: 1 V (typical at 10 mA)
- **Reverse Recovery Time (t_rr)**: 4 ns (typical)
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C

These specifications are typical for high-speed switching diodes used in applications such as signal processing, high-frequency circuits, and rectification.

Silicon Epitaxial Planar Diode for High Voltage Switching The part 1SS81 is a high-speed switching diode manufactured by HITACHI. Its key specifications include:

- **Type**: Silicon epitaxial planar type diode
- **Maximum repetitive peak reverse voltage (VRRM)**: 80V
- **Maximum average forward rectified current (IO)**: 100mA
- **Peak forward surge current (IFSM)**: 2A
- **Forward voltage (VF)**: 1V (typical) at 10mA
- **Reverse current (IR)**: 5µA (maximum) at 80V
- **Reverse recovery time (trr)**: 4ns (typical)
- **Junction capacitance (Cj)**: 2pF (typical) at 0V, 1MHz
- **Operating temperature range**: -55°C to +125°C
- **Package**: SOD-323 (small surface-mount package)

This diode is designed for high-speed switching applications, such as in communication devices, high-frequency circuits, and other electronic equipment requiring fast response times.