Small-signal Schottky barrier diode The 1SS420CT is a high-speed switching diode manufactured by Toshiba. Here are its key specifications:

- **Type**: Silicon Epitaxial Planar Diode
- **Package**: SOT-23 (Mini Mold)
- **Maximum Reverse Voltage (VR)**: 40 V
- **Maximum Forward Current (IF)**: 150 mA
- **Peak Forward Surge Current (IFSM)**: 500 mA (non-repetitive)
- **Forward Voltage (VF)**: 1 V (typical) at 10 mA
- **Reverse Current (IR)**: 0.1 µA (maximum) at 20 V
- **Total Power Dissipation (PT)**: 150 mW
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +125°C
- **Storage Temperature Range**: -55°C to +150°C
- **Switching Speed**: Fast recovery time, suitable for high-speed switching applications

These specifications are based on Toshiba's datasheet for the 1SS420CT diode.