Small-signal Schottky barrier diode The 1SS417CT is a high-speed switching diode manufactured by Toshiba. Below are the key specifications based on Ic-phoenix technical data files:

- **Type**: Silicon epitaxial planar diode
- **Package**: SOT-523 (SC-79)
- **Maximum Reverse Voltage (VR)**: 30 V
- **Maximum Forward Current (IF)**: 100 mA
- **Forward Voltage (VF)**: 1 V (typical at IF = 10 mA)
- **Reverse Recovery Time (trr)**: 4 ns (typical)
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +125°C
- **Applications**: High-speed switching, rectification, and general-purpose use in electronic circuits.

These specifications are typical for the 1SS417CT diode as provided by Toshiba.