Diode Silicon Epitaxial Schottoky Barrier Type High Voltage Switching Applications The 1SS403 is a high-speed switching diode manufactured by Toshiba. Below are the key specifications:

- **Type**: Silicon Epitaxial Planar Diode
- **Package**: SOD-323 (SC-76)
- **Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage (VRRM)**: 30V
- **Maximum DC Reverse Voltage (VR)**: 30V
- **Maximum Forward Voltage (VF)**: 1V at 10mA
- **Maximum Reverse Current (IR)**: 0.1µA at 25V
- **Maximum Forward Current (IF)**: 100mA
- **Maximum Surge Current (IFSM)**: 1A (pulse width = 1ms)
- **Maximum Power Dissipation (PD)**: 150mW
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +125°C
- **Storage Temperature Range**: -55°C to +150°C
- **Junction Capacitance (Cj)**: 2pF at 0V, 1MHz
- **Reverse Recovery Time (trr)**: 4ns (typical) at 10mA, 10mA

These specifications are based on Toshiba's datasheet for the 1SS403 diode.