Diode Silicon Epitaxial Planar Diode High Voltage, High Speed Switching Applications The 1SS399 is a high-speed switching diode manufactured by Toshiba. Here are the key specifications:

- **Type**: Silicon Epitaxial Planar Diode
- **Package**: SOD-323 (SC-76)
- **Maximum Reverse Voltage (VR)**: 30 V
- **Maximum Forward Current (IF)**: 100 mA
- **Peak Forward Surge Current (IFSM)**: 1 A (pulse width = 1 ms)
- **Forward Voltage (VF)**: 1 V (at IF = 10 mA)
- **Reverse Recovery Time (trr)**: 4 ns (typical)
- **Junction Capacitance (Cj)**: 1.5 pF (at VR = 0 V, f = 1 MHz)
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +125°C

These specifications are based on Toshiba's datasheet for the 1SS399 diode.

Diode Silicon Epitaxial Planar Diode High Voltage, High Speed Switching Applications The part 1SS399 is a high-speed switching diode manufactured by Toshiba. Here are the key specifications:

- **Type**: Silicon Epitaxial Planar Diode
- **Maximum Reverse Voltage (VR)**: 80 V
- **Maximum Forward Current (IF)**: 150 mA
- **Forward Voltage (VF)**: 1 V (typical) at 10 mA
- **Reverse Recovery Time (trr)**: 4 ns (typical)
- **Junction Capacitance (Cj)**: 2 pF (typical) at 0 V, 1 MHz
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C
- **Package**: SOD-323 (Miniature Surface Mount)

These specifications are typical for high-speed switching applications, such as in communication devices and high-frequency circuits.