Diode Silicon Epitaxial Schottky Barrier Type Low Voltage High Speed Switching The 1SS396 is a high-speed switching diode manufactured by Toshiba. Here are the key specifications from the TOS (Toshiba) datasheet:

1. **Type**: Silicon epitaxial planar diode.
2. **Package**: SOD-323 (SC-76).
3. **Maximum Ratings**:
   - Reverse Voltage (VR): 75 V.
   - Forward Current (IF): 150 mA.
   - Surge Forward Current (IFSM): 1 A (pulse width = 1 μs).
   - Power Dissipation (PD): 150 mW.
   - Operating Temperature Range (Tj): -55°C to +150°C.
4. **Electrical Characteristics**:
   - Forward Voltage (VF): 1 V (at IF = 10 mA).
   - Reverse Current (IR): 0.1 μA (at VR = 75 V).
   - Junction Capacitance (Cj): 2 pF (at VR = 0 V, f = 1 MHz).
   - Reverse Recovery Time (trr): 4 ns (at IF = 10 mA, IR = 1 mA).
5. **Applications**: High-speed switching, rectification, and general-purpose use in electronic circuits.

These specifications are based on the manufacturer's datasheet and are subject to the operating conditions outlined therein.