Diode Silicon Epitaxial Schottky Barrier Type High Speed Switching Application The 1SS394 is a high-speed switching diode manufactured by Toshiba. Below are the factual specifications based on Ic-phoenix technical data files:

- **Type**: Silicon epitaxial planar diode
- **Package**: SOD-323 (SC-76)
- **Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage (VRRM)**: 30 V
- **Maximum RMS Reverse Voltage (VR(RMS))**: 21 V
- **Maximum DC Reverse Voltage (VR)**: 30 V
- **Maximum Forward Current (IF)**: 100 mA
- **Peak Forward Surge Current (IFSM)**: 1 A (pulse width = 1 ms)
- **Forward Voltage (VF)**: 1 V (at IF = 10 mA)
- **Reverse Current (IR)**: 0.1 µA (at VR = 30 V)
- **Junction Capacitance (Cj)**: 2 pF (at VR = 0 V, f = 1 MHz)
- **Reverse Recovery Time (trr)**: 4 ns (at IF = 10 mA, IR = 1 mA, RL = 50 Ω)
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +125°C

These specifications are typical for the 1SS394 diode and are subject to standard manufacturing tolerances.