Small-signal Schottky barrier diode The 1SS385FV is a high-speed switching diode manufactured by Toshiba. Below are the key specifications:

- **Type**: Silicon Epitaxial Planar Diode
- **Package**: SOD-323F (Small Outline Diode)
- **Reverse Voltage (VR)**: 85V
- **Forward Current (IF)**: 100mA
- **Forward Voltage (VF)**: 1V (typical) at 10mA
- **Reverse Recovery Time (trr)**: 4ns (typical)
- **Junction Capacitance (Cj)**: 2pF (typical) at 1MHz, 0V
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +125°C
- **Storage Temperature Range**: -55°C to +150°C

This diode is designed for high-speed switching applications, such as in communication devices, computers, and other electronic equipment requiring fast response times.