Diode Silicon Epitaxial Schottky Barrier Type High Speed Switching The 1SS385F is a high-speed switching diode manufactured by Toshiba. Below are the key specifications:

- **Type**: Silicon Epitaxial Planar Diode
- **Package**: SOD-323 (SC-76)
- **Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage (VRRM)**: 30 V
- **Maximum DC Reverse Voltage (VR)**: 30 V
- **Maximum Forward Voltage (VF)**: 1 V at 10 mA
- **Maximum Reverse Current (IR)**: 0.1 µA at 25 V
- **Maximum Junction Capacitance (Cj)**: 2 pF at 0 V, 1 MHz
- **Maximum Reverse Recovery Time (trr)**: 4 ns
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +125°C
- **Storage Temperature Range**: -55°C to +150°C

These specifications are typical for the 1SS385F diode, designed for high-speed switching applications.