Diode Silicon Epitaxial Schottky Barrier Type High Speed Switching The 1SS385 is a high-speed switching diode manufactured by Toshiba. Here are the key specifications:

- **Type**: Silicon Epitaxial Planar Diode
- **Package**: SOD-323 (SC-76)
- **Maximum Reverse Voltage (VR)**: 30 V
- **Maximum Forward Current (IF)**: 100 mA
- **Peak Forward Surge Current (IFSM)**: 1 A (pulse width = 1 ms)
- **Forward Voltage (VF)**: 1 V (at IF = 10 mA)
- **Reverse Current (IR)**: 0.1 µA (at VR = 20 V)
- **Junction Capacitance (Cj)**: 2 pF (at VR = 0 V, f = 1 MHz)
- **Reverse Recovery Time (trr)**: 4 ns (at IF = 10 mA, IR = 1 mA, RL = 50 Ω)
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +125°C

These specifications are typical for the 1SS385 diode, which is commonly used in high-speed switching applications, such as in communication devices, signal processing, and other electronic circuits requiring fast response times.