Diode Silicon Epitaxial Schottky Barrier Type Low Voltage High Speed Switching The 1SS384 is a high-speed switching diode manufactured by Toshiba. Here are the key specifications:

- **Type**: Silicon Epitaxial Planar Diode
- **Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage (VRRM)**: 30V
- **Maximum RMS Reverse Voltage (VR(RMS))**: 21V
- **Maximum DC Reverse Voltage (VR)**: 30V
- **Maximum Forward Voltage (VF)**: 1V at 10mA
- **Maximum Reverse Current (IR)**: 0.1µA at 25V
- **Maximum Forward Current (IF)**: 100mA
- **Maximum Surge Current (IFSM)**: 1A (pulse width = 1ms)
- **Junction Capacitance (Cj)**: 1.5pF at 0V, 1MHz
- **Reverse Recovery Time (trr)**: 4ns
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +125°C
- **Package**: SOD-323 (SC-76)

These specifications are typical for the 1SS384 diode, which is commonly used in high-speed switching applications.