DIODE (HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION) The 1SS373 is a high-speed switching diode manufactured by Toshiba. Below are the key specifications from the Toshiba datasheet:

1. **Type**: Silicon epitaxial planar diode.
2. **Applications**: High-speed switching, general-purpose rectification.
3. **Forward Voltage (VF)**: Typically 1V at 10mA.
4. **Reverse Voltage (VR)**: 30V.
5. **Reverse Current (IR)**: 5µA (max) at 25V.
6. **Forward Current (IF)**: 100mA (max).
7. **Surge Current (IFSM)**: 1A (pulse width = 1µs).
8. **Junction Capacitance (Cj)**: 2pF (typical) at 0V, 1MHz.
9. **Reverse Recovery Time (trr)**: 4ns (typical).
10. **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C.
11. **Package**: SOD-323 (small surface-mount package).

These specifications are based on Toshiba's official documentation for the 1SS373 diode.

DIODE (HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION) The 1SS373 is a silicon epitaxial planar diode manufactured by TOSHIBA. It is designed for high-speed switching applications. Key specifications include:

- **Type**: Switching Diode
- **Material**: Silicon
- **Package**: SOD-323 (SC-76)
- **Maximum Reverse Voltage (V_R)**: 30 V
- **Maximum Forward Current (I_F)**: 100 mA
- **Forward Voltage (V_F)**: 1 V (typical) at 10 mA
- **Reverse Recovery Time (t_rr)**: 4 ns (typical)
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +125°C

These specifications are typical for high-speed switching diodes used in various electronic circuits.