SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS The 1SS372 is a high-speed switching diode manufactured by Toshiba. Below are the key specifications:

- **Type**: Silicon Epitaxial Planar Diode
- **Package**: SOD-323 (SC-76)
- **Maximum Reverse Voltage (VR)**: 30 V
- **Maximum Forward Current (IF)**: 100 mA
- **Peak Forward Surge Current (IFSM)**: 2 A (pulse width = 1 ms)
- **Forward Voltage (VF)**: 1 V (at IF = 10 mA)
- **Reverse Current (IR)**: 0.1 µA (at VR = 20 V)
- **Junction Capacitance (Cj)**: 2 pF (at VR = 0 V, f = 1 MHz)
- **Reverse Recovery Time (trr)**: 4 ns (typical)
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +125°C

These specifications are typical for high-speed switching applications, such as in signal processing and high-frequency circuits.

SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS The 1SS372 is a high-speed switching diode manufactured by DIODES Incorporated. Key specifications include:

- **Type**: Silicon Epitaxial Planar Diode
- **Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage (VRRM)**: 75V
- **Maximum RMS Voltage (VRMS)**: 53V
- **Maximum DC Blocking Voltage (VDC)**: 75V
- **Forward Voltage (VF)**: 1V at 10mA
- **Reverse Current (IR)**: 5µA at 75V
- **Maximum Forward Surge Current (IFSM)**: 2A (non-repetitive)
- **Junction Capacitance (Cj)**: 2pF at 0V, 1MHz
- **Reverse Recovery Time (trr)**: 4ns
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C
- **Package**: SOD-323 (Small Outline Diode)

These specifications make the 1SS372 suitable for high-speed switching applications, such as in communication devices, computers, and other electronic equipment requiring fast response times.