Diode Silicon Epitaxial Schottky Barrier Type High Speed Switching Application The part 1SS367 is a diode manufactured by Toshiba. It is a high-speed switching diode with the following key specifications:

- **Type**: Silicon Epitaxial Planar Diode
- **Package**: SOD-323 (Small Outline Diode)
- **Maximum Reverse Voltage (VR)**: 75V
- **Maximum Forward Current (IF)**: 100mA
- **Forward Voltage (VF)**: 1V (typical) at 10mA
- **Reverse Recovery Time (trr)**: 4ns (typical)
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C

These specifications are based on Toshiba's datasheet for the 1SS367 diode.