DIODE VHF TUNER BAND SWITCH APPLICATIONS The 1SS364 is a high-speed switching diode manufactured by Toshiba. Below are the key specifications from the TOS (Toshiba) datasheet:

1. **Type**: Silicon epitaxial planar diode.
2. **Package**: SOD-323 (SC-76).
3. **Maximum Ratings**:
   - Reverse Voltage (VR): 30 V.
   - Forward Current (IF): 100 mA.
   - Surge Forward Current (IFSM): 1 A (pulse width = 1 ms).
   - Power Dissipation (PD): 150 mW.
   - Operating Temperature Range (Tj): -55°C to +125°C.
4. **Electrical Characteristics**:
   - Forward Voltage (VF): 1 V (max) at IF = 10 mA.
   - Reverse Current (IR): 0.1 µA (max) at VR = 30 V.
   - Junction Capacitance (Cj): 2 pF (typ) at VR = 0 V, f = 1 MHz.
   - Reverse Recovery Time (trr): 4 ns (typ) at IF = 10 mA, IR = 1 mA.
5. **Applications**: High-speed switching, rectification, and general-purpose use in electronic circuits.

These specifications are based on the Toshiba datasheet for the 1SS364 diode.

DIODE VHF TUNER BAND SWITCH APPLICATIONS The 1SS364 is a high-speed switching diode manufactured by Toshiba. Below are the key specifications:

- **Type**: Silicon Epitaxial Planar Diode
- **Package**: SOD-323 (SC-76)
- **Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage (VRRM)**: 30V
- **Maximum DC Reverse Voltage (VR)**: 30V
- **Maximum Forward Voltage (VF)**: 1V at 10mA
- **Maximum Reverse Current (IR)**: 0.1µA at 25V
- **Maximum Total Capacitance (Ct)**: 2pF at 0V, 1MHz
- **Maximum Reverse Recovery Time (trr)**: 4ns
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +125°C

These specifications are typical for the 1SS364 diode and are used in high-speed switching applications.