Diode Silicon Epitaxial Planar Type Ultra High Speed Switching Application The 1SS362 is a high-speed switching diode manufactured by Toshiba. Key specifications include:

- **Type**: Silicon epitaxial planar diode
- **Maximum repetitive peak reverse voltage (VRRM)**: 75V
- **Maximum average forward current (IF(AV))**: 150mA
- **Peak forward surge current (IFSM)**: 1A
- **Forward voltage (VF)**: 1V (typical) at 10mA
- **Reverse current (IR)**: 5µA (maximum) at 75V
- **Reverse recovery time (trr)**: 4ns (typical)
- **Junction capacitance (Cj)**: 2pF (typical) at 0V, 1MHz
- **Operating temperature range**: -55°C to +125°C
- **Package**: SOD-323 (small surface-mount package)

This diode is commonly used in high-speed switching applications, such as in rectification, clamping, and protection circuits.