Diode Silicon Epitaxial Planar Type Ultra High Speed Switching Applications The 1SS360F is a high-speed switching diode manufactured by Toshiba. Here are the key specifications:

- **Type**: Silicon Epitaxial Planar Diode
- **Package**: SOD-323 (SC-76)
- **Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage (VRRM)**: 40V
- **Maximum RMS Voltage (VRMS)**: 28V
- **Maximum DC Blocking Voltage (VDC)**: 40V
- **Maximum Forward Voltage (VF)**: 1V at 10mA
- **Maximum Reverse Current (IR)**: 0.1µA at 40V
- **Maximum Junction Capacitance (Cj)**: 2pF at 0V, 1MHz
- **Maximum Reverse Recovery Time (trr)**: 4ns
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C

These specifications are typical for high-speed switching applications, such as in communication devices and high-frequency circuits.